Nguồn tin mới nhất cho biết, công nghệ sạc pin siêu nhanh Quick Charge 4+ sẽ được Samsung trang bị cho Galaxy S9 nhờ có sự xuất hiện của con chip cao cấp nhất của Qualcomm Snapdragon 845.
Smartphone đầu tiên sở hữu công nghệ sạc pin siêu nhanh
Qualcomm đã chính thức công bố bộ vi xử lý mới nhất Snapdragon 845, đi cùng với đó là công nghệ sạc pin siêu nhanh Quick Charge 4+. Theo đó, nhiều khả năng bộ đôi Galaxy S9 và S9+ của Samsung sẽ là những smartphone đầu tiên trang bị chip xử lý cao cấp này.
Galaxy S9 sẽ được trang bị công nghệ sạc pin siêu nhanh
Samsung thường sử dụng công nghệ sạc nhanh Adaptive Fast Charge của riêng hãng cho những smartphone cao cấp của mình. Tuy nhiên, nếu hiệu năng của Quick Charge 4+ từ Snapdragon 845 tốt hơn so với Quick Charge 4.0 của người tiền nhiệm thì rất có thể nó sẽ xuất hiện trên phiên bản Galaxy S9 sử dụng chip Snapdragon.
Ưu điểm của Quick Charge 4+
Qualcomm cho biết, Quick Charge 4+ sẽ tăng 30% hiệu suất, sạc nhanh hơn 15% và làm thiết bị mát hơn 3 độ C so với chuẩn Quick Charge 4.0. Tốc độ sạc nhanh và an toàn hơn, smartphone khi được trang bị Snapdragon 845 có thể gia tăng dung lượng pin, mà vẫn đảm bảo thời gian sạc từ 0% pin đến 100% chỉ khoảng 1.5 – 2 giờ, thậm chí chỉ còn 1 giờ.
Ba ưu điểm của Quick Charge 4+
Đối với những phiên bản Galaxy S9 không sử dụng chip Snapdragon thì Samsung cũng sẽ cải tiến công nghệ Adaptive Fast Charge của hãng để bắt kịp những tính năng mới nhất. Không chỉ Galaxy S9 mà những smartphone cao cấp của các hãng khác cũng sẽ được trang bị mẫu chip Snapdragon 845 cùng công nghệ sạc pin siêu nhanh từ Quick Charge 4+.