Samsung đang chuẩn bị ra mắt dòng Galaxy S25 vào đầu năm 2025, thu hút sự quan tâm lớn từ người dùng công nghệ. Trong đó, Galaxy S25 Plus xuất hiện trên nền tảng Geekbench, hé lộ những nâng cấp đáng chú ý về cấu hình và hiệu năng. Vậy hãy cùng khám phá về phiên bản này qua bài viết sau đây.
Galaxy S25 Plus xuất hiện trên Geekbench
Trước khi Galaxy S25 Plus xuất hiện trên Geekbench, phiên bản Galaxy S25 Ultra được cho rằng sẽ sử dụng chipset Snapdragon 8 Elite mạnh mẽ, còn 2 người anh em S25 và S25 Plus có thể sẽ được trang bị bộ vi xử lý khác biệt.
Theo đó, Galaxy S25 Plus vừa được phát hiện trên Geekbench với số model SM-S936B, dành riêng cho thị trường châu Âu. Điểm số hiệu năng của smartphone này khá ấn tượng với 2.359 điểm đơn nhân và 8.141 điểm đa nhân, nhờ trang bị thanh RAM dung lượng 12GB và hệ điều hành Android 15 mới nhất. Kết quả này cũng gợi mở về khả năng xử lý vượt trội mà thiết bị có thể mang lại cho người dùng.
Chip Exynos 2500 cung cấp sức mạnh cho Galaxy S25 Plus với cấu trúc CPU 10 nhân đạt tốc độ tối đa 3.3GHz, kết hợp cùng GPU Xclipse 950 dựa trên kiến trúc RDNA của AMD. Đây là một sự phát triển vượt bậc của Samsung trong nỗ lực nâng cao hiệu suất đồ họa, hứa hẹn mang đến những cải tiến lớn về trải nghiệm hình ảnh và tốc độ xử lý.
Mặc dù điểm số đa nhân của Exynos 2500 gần tương đương với Snapdragon 8 Elite, nhưng về đơn nhân thì lại kém hơn đôi chút. Cụ thể, Galaxy S25 Ultra với chip Snapdragon 8 Elite đạt điểm đơn nhân lên tới 3.096 và điểm đa nhân 9.080. Điều này đặt Galaxy S25 Plus vào tình thế cạnh tranh khá khốc liệt với các smartphone dùng chip Snapdragon và Dimensity, đặc biệt là trong các tác vụ nặng như chơi game hay quay video chất lượng cao.
Tóm lại, Galaxy S25 Plus xuất hiện đã mở ra nhiều kỳ vọng cho dòng sản phẩm mới này của Samsung. Người hâm mộ rất mong chờ những cải tiến về công nghệ và hiệu năng vượt trội từ Samsung khi dòng Galaxy S25 chính thức ra mắt trong thời gian sắp tới. Mời bạn đọc cùng đón chờ nhé.
BÀI VIẾT LIÊN QUAN
Email của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *
Tạo bình luận mới